Angereichertes Bortrifluorid-11 (¹¹BF₃) mit ¹¹B-Anreicherung ≥ 99,9 % und Reinheit ≥ 99,999 % CAS-Nr. 20654-88-0

Angereichertes Bortrifluorid-11 (¹¹BF₃) mit ¹¹B-Anreicherung ≥ 99,9 % und Reinheit ≥ 99,999 % CAS-Nr. 20654-88-0

¹¹BF₃ ¹¹B zählt zu den wichtigsten p-Dotiergasen für die Ionenimplantation in Halbleiter. Dank seiner nahezu nicht vorhandenen Neutronenabsorption ermöglicht es eine präzise Dotierungskontrolle während der Implantation und verbessert so die Leitfähigkeit und Strahlungsbeständigkeit von Halbleiterbauelementen. Wichtige Spezifikationen für Verunreinigungen: ¹¹B-Anreicherung ≥ 99,9 %, Reinheit ≥ 99,999 %, N₂ ≤ 15 ppmv, O₂/Ar ≤ 15 ppmv, CO₂ ≤ 15 ppmv, SO₂ ≤ 15 ppmv, HF ≤ 15 ppmv, SiF₄ ≤ 15 ppmv.

BoronHubs ¹¹BF₃ wird in hochreine Stahlzylinder mit individuell anpassbaren Reinheits- und Anreicherungsgraden abgefüllt. Sämtliche Produktionsanlagen werden vollständig in China gefertigt, wodurch unabhängige, firmeneigene Technologie und eine stabile, sichere Lieferkette gewährleistet werden.

Unternehmensspezifikationen von angereichertem Bortrifluorid-11 (¹¹BF₃)

¹¹B-Isotopenhäufigkeit: ≥99,9 % Reinheit: ≥99,999 %

Grenzwerte für Verunreinigungen (Einheit: ppmv): N₂ ≤15, O₂/Ar ≤15, CO₂ ≤15, SO₂ ≤15, HF ≤15, SiF₄ ≤15

Verpackung

Lieferung in Stahlzylindern (Für detaillierte Zylinderspezifikationen und Verpackungsinformationen wenden Sie sich bitte an unseren Vertriebsmitarbeiter).

Hinweis: Anpassungen hinsichtlich Reinheit, Isotopenhäufigkeit und Verpackungsspezifikationen sind auf Anfrage möglich.

Was sind die Anwendungsbereiche von Angereichertes Bortrifluorid-11(¹¹BF₃)?

*Halbleiterfertigung: Kerngas für die Elektronikindustrie, insbesondere für High-End-Chips, Display-Panels und andere Halbleiterprodukte.

 

*Photovoltaikindustrie: Dotierungsprozesse für die Solarzellenproduktion

 

*Chemische und fortgeschrittene Materialien: Synthese von Diboran, Bortrichlorid und anderen chemischen Rohstoffen sowie Herstellung von optischen Faservorformen

 

Was sind die detaillierten Funktionen vonAngereichertes Bortrifluorid-11(¹¹BF₃)?

P-Dotierstoff für die Ionenimplantation

Als wichtigstes p-Dotiergas für die Ionenimplantation in Halbleitern wird es zur Herstellung von Chips mit fortschrittlichen Strukturgrößen unter 3 nm eingesetzt. Es unterdrückt wirksam das Umkippen von Speicherbits und erhöht die Strahlungsbeständigkeit und Betriebssicherheit der Chips signifikant.

Diffusions- und Oxidationsprozesse

Es wird in verschiedenen Phasen der Halbleiterherstellung eingesetzt, darunter Dotierung, Oxidationsdiffusion, Plasmaätzen und epitaktisches Wachstum von Silizium/Germanium.

 

Verbesserte Chipausbeute und Leistung

Hochangereichertes, hochreines ¹¹BF₃ ist ein unersetzliches Spezialgas für die Herstellung hochwertiger Chips. Seine Isotopenhäufigkeit und chemische Reinheit bestimmen direkt die Waferausbeute und die Leistungsfähigkeit der fertigen Chips.

Ätzprozesse

Hochreines ¹¹BF₃ verbessert die Ätzselektivität und die Prozessgleichmäßigkeit.