Enriched Boric Acid-11

Angereicherte Borsäure-11 (H₃¹¹BO₃) mit CAS-Nr. 13813-78-0

Angereicherte Borsäure-11 ist eine stabile isotopenmarkierte Borsäure, die aus hochkonzentriertem ¹¹B synthetisiert wird und die CAS-Nr. 13813-78-0 sowie die Summenformel H₃¹¹BO₃ besitzt. Sie tritt als weißes, pulverförmiges Kristallprodukt oder als glänzendes, flockiges Kristallprodukt auf.

¹¹B weist einen nahezu verschwindenden thermischen Neutronenabsorptionsquerschnitt auf (thermischer Neutroneneinfangquerschnitt von lediglich 0,005 Barn). Es dient als wichtiger Rohstoff für die Ionenimplantation in Halbleitern und die Herstellung von Spezialmaterialien und findet breite Anwendung in der Chipfertigung für moderne Halbleiter und in der Speziallegierungsindustrie.

 

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Angereicherte Borsäure-11 (H₃¹¹BO₃) Mit CAS-Nr. 13813-78-0

 

Produktmerkmale

Angereicherte Borsäure-11 Es liegt als weißes, kristallines Pulver mit einer Molmasse von 62,03 g/mol vor. Sein Wirkungsquerschnitt für den Einfang thermischer Neutronen beträgt lediglich 0,005 Barn und ist damit deutlich geringer als der von natürlichem Bor. Bei der Ionenimplantation in Halbleiter eliminiert es die durch ¹⁰B verursachten Störungen und verbessert so effektiv die elektrische Leitfähigkeit, die Strahlungsbeständigkeit und die Störfestigkeit von Halbleiterbauelementen.

Produktspezifikationen

¹¹B-Isotopenhäufigkeit: ≥99 Atom-%

Produktreinheit: ≥99,95 Gew.-%

Kontrollierte Schlüsselverunreinigungen: Ca ≤2 ppm, Cl ≤2 ppm, Fe ≤2 ppm, Na ≤3 ppm, Sulfationen (SO₄²⁻) ≤1,5 ​​ppm

Die von BoronHub gelieferte angereicherte Borsäure-11 wird unter strenger Einhaltung höchster chemischer Reinheitsstandards hergestellt. Sie wird hermetisch in Polyethylenflaschen oder Fasertrommeln mit Feuchtigkeitsschutz verpackt. Kundenspezifische Anpassungen hinsichtlich Reinheit, Isotopenhäufigkeit und Verpackungsspezifikationen sind möglich, um den hohen Anforderungen an hochkonzentrierte ¹¹B-Materialien in Halbleitern, Speziallegierungen und der Spitzenforschung gerecht zu werden.

 

Unternehmensspezifikationen für angereicherte Borsäure-11

¹¹B-Isotopenhäufigkeit: ≥99 Atom-% Reinheit: ≥99,95 Gew.-%

Grenzwerte für Verunreinigungen (Einheit: ppm): Ca ≤ 2, Cl ≤ 2, F ≤ 1, Fe ≤ 2, Phosphat-Ion (PO₄³⁻) ≤ 0,5, Na ≤ 3, Sulfat-Ion (SO₄²⁻) ≤ 1,5

Gesamtgehalt an festen Verunreinigungen ≤40 ppm

 

Verpackung

Transport- und Lagerbehälter: Polyethylenflaschen oder Faserfässer, die mit feuchtigkeitsdichten Säcken ausgekleidet sind.

Lagerungshinweise: Behälter dicht verschlossen halten und fern von Wärmequellen lagern.

Hinweis: Anpassungen hinsichtlich Reinheit, Isotopenhäufigkeit und Verpackungsspezifikationen sind auf Anfrage möglich.

 

Was sind die Anwendungsbereiche von Angereicherte Borsäure-11?

 

*Halbleiterindustrie: Hochreines Bor-Ausgangsmaterial für die Halbleiterdotierung und spezielle Halbleiterherstellungsprozesse

 

*Nuklearindustrie (Sonderszenarien): Nukleare Anwendungen, bei denen Neutronenabsorption vermieden werden muss.

 

 

 

Was sind die detaillierten Funktionen von Angereicherte Borsäure-11?

 

P-Dotierung für Halbleiter

¹¹B zeichnet sich durch einen extrem niedrigen thermischen Neutroneneinfangquerschnitt von lediglich 0,005 Barn aus. Als p-Dotierstoff für Siliziumwafer reduziert es die durch kosmische Neutronenstrahlung hervorgerufenen Soft Errors drastisch und verbessert die Chipstabilität und Strahlungsresistenz erheblich.

 

Hochreine Borquelle

Es dient als Ausgangsmaterial für die Synthese von hochreinem Bortrifluorid-11 und anderen Halbleiterprozessgasen sowie für alle Herstellungsschritte in Halbleiterfabriken, die auf ultrahochreinem Bor basieren.

 

 

Neutronentransparentes Material

Seine Neutronentransparenz bietet einzigartige Vorteile für spezielle nukleare Anwendungen, die eine Neutronenabsorption von null Prozent erfordern.

 

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