Bor-11-Isotop mit natürlicher Häufigkeit von 80,22 % CAS-Nr. 14798-13-1

Bor-11-IsotopMit einem natürlichen Vorkommen von 80,22 % CAS-Nr. 14798-13-1

Bei vernachlässigbarer Neutronenabsorption ¹¹B BoronHub dient als p-Dotierstoff zur präzisen Einstellung der elektrischen Leitfähigkeit von Halbleiterbauelementen und zur Verbesserung ihrer Strahlungsbeständigkeit und Störfestigkeit. ¹¹B-Produkte mit flexibel einstellbarer Isotopenanreicherung erfüllen die unterschiedlichen Anforderungen an die Dotierungsgenauigkeit in verschiedenen Halbleiterfertigungsprozessen. Die versiegelte Verpackung mit hochreinem Inertgas garantiert chemische Stabilität und gleichbleibende Chargenqualität. Unsere vollständig autarke Lieferkette ermöglicht eine kontinuierliche Versorgung von Forschungschargen bis hin zur industriellen Massenproduktion und beliefert damit die Forschung und Entwicklung von High-Tech-Chips, Display-Panels und Quantenchips.

Isotop¹¹B Unternehmensspezifikation

Verpackung: Verpackt in einer Polytetrafluorethylenflasche, gefüllt mit Inertgasschutz, 50 g/Flasche;

Was sind die professionellen Einsatzgebiete und Anwendungsbereiche von Bor-11 (¹¹B)?

Bor-11 (¹¹B) ist das stabile schwere Isotop des Bors mit einer natürlichen Häufigkeit von 80,22 %. Es zeichnet sich durch Neutronentransparenz, keine Strahlungsaktivierung, ultrahohe Reinheit und hervorragende Homogenität aus und dient als unersetzlicher Kernrohstoff für High-End-Halbleiter und fortschrittliche elektronische Materialien.

I. Kernanwendungsgebiet: Halbleiter- und integrierte Schaltungsfertigung

1. P-Dotierstoff für siliziumbasierte Materialien (Hauptanwendung)

Dient als hochreine P-Dotierquelle für Ionenimplantations- und Hochtemperaturdiffusionsprozesse auf Siliziumwafern, Epitaxiewafern und SOI-Wafern.

Optimiert die Ionenanordnung innerhalb von Siliziumgittern, um die Leitfähigkeitsgleichmäßigkeit, die Durchbruchspannung und die strukturelle Stabilität von Halbleitermaterialien zu verbessern.

2. Herstellung von High-End-Chips und Mikrobauelementen

Anwendung bei fortschrittlichen Logikchips, Speicherchips und Mikrosensoren mit Prozessknoten von 7 nm, 5 nm und darunter.

 Ermöglicht die stabile Massenproduktion von hochdichten integrierten Schaltungen, MEMS-Bauelementen und Leistungselektronik.

 

3. Strahlungsresistente Halbleiterbauelemente

Verbessert die Beständigkeit der Chips gegenüber Neutronenstrahlung und kosmischer Strahlung erheblich und verringert so das Risiko strahlungsbedingter Ausfälle.

Weit verbreitet in der Luft- und Raumfahrt-Halbleiterindustrie, in Chips für militärische Anwendungen und in hochzuverlässigen Automobil-ICs.

4. Halbleiter-Diffusionsquellen und Epitaxie-Vorläufer

Wird zur Synthese von hochreinen gasförmigen Diffusionsquellen und epitaxialen Dotierungsvorläufern wie BCl₃ und BBr₃ verwendet.

Ermöglicht präzise und kontrollierbare Dotierungskonzentrationen, um die Prozessstandards von Premium-Waferfabriken zu erfüllen.

II. Erweiterte Anwendungsbereiche im High-End-Bereich

1. Leistungshalbleiter / IGBTs / Leistungsmodule: Verbessern die Hochtemperaturstabilität und die Spannungsfestigkeit für Fahrzeuge mit alternativen Antrieben, Photovoltaik-Wechselrichter und industrielle Stromversorgungen.

2. HF- und Analogchips: Reduziert Rauschen und verbessert die Signalstabilität für Kommunikationsbasisstationen, Satellitenterminals und hochpräzise Instrumente.

 

3. Optoelektronische Komponenten und Detektoren: Optimiert die Dunkelstromunterdrückung und die langfristige Betriebssicherheit für Bildsensoren und Lasertreiber-ICs.

4. Fortschrittliche Gehäuse- und Substratmaterialien: Dient als Dotierungselement zur Substratmodifizierung von Halbleitern der dritten Generation, einschließlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).

III. Kernvorteile der Bor-11-Produkte von UrbanMines

Kristallform: Kubische β-rhomboedrische Kristallstruktur mit hoher Kompaktheit und minimalen Verunreinigungen

Reinheit: Halbleiterqualität mit ultrahoher Reinheit und metallischen Verunreinigungen im ppb-Bereich.

Isotopenhäufigkeit: Anpassbare Qualitäten verfügbar, einschließlich natürlicher Häufigkeit (80,22 %) und hoch angereichertem Bor-11

• Kompatibilität: Gleichmäßige Dotierungsleistung, gute Haftung an Silizium und Metallen; keine Partikelagglomeration und keine Neutronenstrahlungsinterferenz

Produktpositionierung: Unverzichtbarer Rohstoff für fortschrittliche Chiptechnologien, hochzuverlässige Halbleiter und strahlungsresistente elektronische Bauelemente