Hochreines Dotierungsmittel für das Ziehen monokristalliner Siliziumkristalle in Halbleitern

Zielkunden: Waferfabriken, Züchter von monokristallinem Silizium, Halbleiteranlagenhersteller

6N Hochreines kristallines Bor (99,9999 %) – Kernprodukt

Detaillierte Anwendungen

Hochreines Bor ist als „Vitamin der Industrie“ bekannt und findet vor allem in drei strategisch wichtigen Industriezweigen Anwendung: Halbleiter, Luft- und Raumfahrt sowie Kernenergie.

Hochreines Silizium wirkt von Natur aus als Isolator; die Bor-Dotierung ist daher unerlässlich, um es in ein stabiles Halbleitermaterial für die Herstellung hochwertiger Chips umzuwandeln. Ultrahochreines kristallines Bor der Reinheitsstufe 6N dient als primäres P-Dotiermittel beim Ziehen von monokristallinen Silizium-Ingots mittels Czochralski- (CZ) und Float-Zone-Verfahren (FZ). Es ist ein entscheidendes Material, das die Gleichmäßigkeit des spezifischen Widerstands und die Ladungsträgermobilität der Wafer maßgeblich beeinflusst. Seine extreme Reinheit (6N) verhindert Verunreinigungen durch schädliche Schwermetalle wie Eisen und Kupfer während der Dotierung, was wiederum die Konsistenz der elektrischen Eigenschaften und die Effizienz des Ladungstransports der fertigen Wafer direkt bestimmt.

Die für die Borproduktion erforderlichen aufwendigen Herstellungsverfahren und die firmeneigene Technologie machten dieses Material einst zu einem Engpass, der die Entwicklung der Halbleiterindustrie einschränkte und gleichzeitig als Druckmittel für internationale Sanktionen diente.

Durch jahrelange gemeinsame Forschungs- und Entwicklungskooperation mit renommierten Universitäten in Hongkong und Festlandchina beherrschen wir die eigenständige Massenproduktionstechnologie für kristallines 6N-Bor vollständig. Unsere Produktspezifikationen und unsere stabile Lieferkapazität erfüllen die Anwendungsanforderungen von Halbleiterherstellern weltweit.

Weltweit werden derzeit über 85 % der monokristallinen Siliziumwafer im Czochralski-Verfahren hergestellt. Die Fertigung von p-dotierten Siliziumwafern ist das ausgereifteste Verfahren und sorgt für eine anhaltend hohe Nachfrage nach hochreinem Bor-Dotierstoff. Kristallines 6N-Bor dient als unverzichtbare Dotierungsquelle für Siliziumsubstrate in Logikchips und Speicherbausteinen, für FZ-dotiertes monokristallines Silizium in Leistungshalbleitern (IGBTs, MOSFETs) sowie für p-dotierte monokristalline Siliziumwafer in Photovoltaikanwendungen.