Halbleiter, Hochleistungschips und Halbleiter der dritten Generation

Halbleiter, Hochleistungschips und Halbleiter der dritten Generation

Zielkunden: Waferhersteller (TSMC, SMIC usw.), Züchter von monokristallinem Silizium/Siliziumkarbid, Hersteller von Wärmemanagementsystemen für KI-Server, Halbleiteranlagenlieferanten

6N Hochreines kristallines Bor (99,9999 %) – Kernprodukt

Anwendung: Dient als primäres P-Dotiermittel für das Ziehen von monokristallinen Siliziumblöcken mittels Czochralski- (CZ) und Float-Zone-Verfahren (FZ). Seine extrem hohe Reinheit (6N) verhindert schädliche Schwermetallverunreinigungen wie Eisen und Kupfer während des Siliziumkristallwachstums und gewährleistet so direkt einen gleichmäßigen Waferwiderstand und eine hohe Ladungsträgermobilität.

Isotopenangereichertes Bor-11 (Elementare Form / Hochreine angereicherte Qualität)

Anwendung: Wafer-Dotierung für fortschrittliche Prozessknoten von 3 nm und darunter sowie Modifizierung von SiC/GaN-Breitband-Leistungshalbleitern. Da Bor-11 keine Neutronen absorbiert, eliminiert es effektiv durch Neutronenbestrahlung ausgelöste Chipfehler und verbessert die Strahlungsbeständigkeit und Zuverlässigkeit von High-End-KI-Chips und Halbleitern für die Luft- und Raumfahrt.

Angereichertes Bortrifluorid-11 (¹¹BF₃) – Neues Flaggschiffprodukt

Anwendung: Gasphasen-Ionenimplantationsdotierstoff für die Halbleiterfertigung (zur Herstellung von Hochleistungs-P-Halbleitern) und Lewis-Säure-Katalysator für die fortgeschrittene organische Synthese.

Hochreines hexagonales Bornitrid im Nanomaßstab (h-BN)

Anwendung: Wärmeleitmaterial (TIM) als Wärmefüller/Wärmeleitpads für Kernchips in KI-Servern, isolierende Wärmeableitungsschichten für Hochleistungselektronikgeräte.

Kubisches Bornitrid (c-BN) Mikropulver

Anwendung: Ultrapräzisionspolieren von Leistungswafern der dritten Generation, einschließlich Siliziumkarbid (SiC), und Superabrasivmitteln für Mikrobohrungen in High-End-Leiterplatten.

Lanthanhexaborid (LaB₆)

Anwendung: Kathodenmaterial für Plasmaelektronenkanonen in Halbleiterätzanlagen, Elektronenemissionsquellen für High-End-Vakuumbeschichtungssysteme.